Boîtier de circuit intégré — wikipédia gas pressure definition chemistry

• Adapter le composant aux contraintes de fabrication : on passe généralement d’un pas entre pins de l’ordre de la centaine de µm [1 ] au mm. Les contraintes de brasage sont également optimisées (température de brasure plus élevée, procédés standard de brasage par refusion/ brasage à la vague).

Il existe plusieurs organismes de normalisation de renom international pour catégoriser les boîtiers de composants électroniques : JEDEC, EIAJ ( Electronic Industries Association of Japan), Mil standards (Standards militaires US), SEMI ( Semiconductor Equipment and Materials Institute), ANSI/ IPC ( Interconnecting and Packaging Electronic Circuits Standards).

Il s’agit du code basique définissant la famille de boîtier : cylindrique ( CY), bouton ( DB), grid array ( GA), IM In-Line Module( IM), IP In-Line Package( IP), Press-Pack / Press-Fit ( CP/ PF, boîtier assemblé à la presse sans soudure), quad flatpack ( QF, broches sur les 4 côtés du boîtier), small outline ( SO, broches sur 2 côtés opposés du boîtier), CMS vertical ( VP), boîtier sur Die/ Wafer ( DS/ WL), montage sur collerette ( FM), forme allongée ( LF), assemblage microélectronique ( MA), montage à clous ( PM), boitier spécifique ( SS), boîtier non classifié ( UC). Fonctions spécifiques [ modifier | modifier le code ]

Certaines fonctionnalités non communes sont définies par la classification JEDEC sous la forme d’un préfixe de 0 à 6 lettres suivi d’un tiret [2 ], on trouve notamment les fenêtres optiques ( C), les die empilés dans un même boîtier ( A, stacked package assembly), les dissipateurs de chaleur ( H), ainsi que des codes pour la hauteur du boîtier ou le pas entre broches lorsqu’ils ne sont pas conformes au standard. Matériaux [ modifier | modifier le code ]

Dans la classification JEDEC [2 ], on peut trouver des boîtiers céramique ( C lorsque scellés par du métal, G lorsque scellés par du verre), des boîtiers métal ( M), en plastique moulé ( P), en silicone ( S), ou en ruban polyimide ( T). Cette lettre est généralement en préfixe. Broches [ modifier | modifier le code ]

La forme des broches est codifiée par la norme JEDEC sous forme d’une lettre généralement en suffixe : On trouve les billes ( B), les pattes recourbées ( C, par exemple le boitier PLCC, Gull-wing G, tels que sur les boîtiers SOIC), J-Bend, L-Bend, S-Bend, J-inversé), les oreilles pour la soudure de fils ( D, H), à plat ( F), isolés ( I), sans pattes ( N, avec des plages de soudure tels les QFN), pattes traversantes ( P, T), à insertion rapide ( Q, par exemple pour des relais électromécaniques), à wrapper ( W), sortie filaire ( W), ou à visser ( Y).

La broche d’alimentation positive repérée V C C + {\displaystyle V_{\mathrm {CC+} }} est parfois aussi appelée V D D {\displaystyle V_{\mathrm {DD} }} , V C C {\displaystyle V_{\mathrm {CC} }} , ou V S+. La broche d’alimentation négative repérée V C C − {\displaystyle V_{\mathrm {CC-} }} est parfois aussi appelée V S S {\displaystyle V_{\mathrm {SS} }} , V E E {\displaystyle V_{\mathrm {EE} }} , ou V S−.

Le caractère doublé qui se trouve en indice de la lettre V fait référence au nom de la broche du transistor à laquelle cette alimentation sera généralement reliée [3 ]. Ainsi, les appellations V C C {\displaystyle V_{\mathrm {CC} }} et V E E {\displaystyle V_{\mathrm {EE} }} sont généralement réservées aux AOP bipolaire tandis que les appellations V D D {\displaystyle V_{\mathrm {DD} }} et V S S {\displaystyle V_{\mathrm {SS} }} sont généralement réservées aux AOP à effet de champ.

Le C de V C C {\displaystyle V_{\mathrm {CC} }} signifie que l’alimentation est reliée au collecteur d’un transistor bipolaire tandis que le E de V E E {\displaystyle V_{\mathrm {EE} }} signifie que l’alimentation est reliée à l’ émetteur d’un transistor bipolaire. Le D de V D D {\displaystyle V_{\mathrm {DD} }} fait référence au drain d’un transistor à effet de champ tandis que le S de V S S {\displaystyle V_{\mathrm {SS} }} fait référence à la source de ce même transistor. Caractérisation [ modifier | modifier le code ] Caractérisation électrique [ modifier | modifier le code ]

Cette caractérisation est très importante en électrotechnique, mais aussi en électronique numérique. Le facteur de dissipation du boîtier peut déterminer certaines caractéristiques qui sont liées à la température comme la vitesse d’exécution d’un processeur, ou le courant de commutation d’un transistor. Caractérisation électromagnétique [ modifier | modifier le code ]

Les boîtiers peuvent être conçus pour limiter le rayonnement électronique du composant qu’ils enveloppent (agresseur), ou au contraire limiter l’effet de l’environnement extérieur sur leur fonctionnement (victime). Certains secteurs d’activité tels que l’ aéronautique, le spatial ou le secteur automobile font des études très poussées sur la caractérisation électromagnétique des boîtiers électroniques [5 ]. Notes et références [ modifier | modifier le code ]